| فرکانس | 0.4-500MHz |
|---|---|
| امپدانس مشخصه | محور 50Ω |
| درجه حرارت | -40 تا 85 |
| جریان فعلی | 30mA |
| نسبت | 1: 1 |
| قدرت RF | 0.25W |
|---|---|
| امپدانس مشخصه | 75Ω |
| فرکانس | 5-3000 مگاهرتز |
| جریان DC | 30mA |
| درجه حرارت | -40 تا 85 |
| فرکانس | 5-3000 مگاهرتز |
|---|---|
| امپدانس مشخصه | 75Ω |
| قدرت RF | 0.25W |
| جریان DC | 30mA |
| درجه حرارت | -40 ℃ تا 85 ℃ |
| نام محصول | هسته RF |
|---|---|
| مواد | NiZn |
| کاربرد | سرکوب EMI |
| اندازه | 2 میلی متر تا 32 میلی متر |
| استفاده شده | ترانسفورماتور بالون |
| فرکانس | 50-1250 مگاهرتز |
|---|---|
| امپدانس مشخصه | 75Ω |
| قدرت RF | 0.25 وات |
| جریان DC | 30 میلی آمپر |
| دمای عملیاتی | -40 ℃ تا 85 |
| فرکانس | 1-1250 مگاهرتز |
|---|---|
| امپدانس مشخصه | 75Ω |
| از دست دادن درج | حداکثر 1.5dB |
| از دست دادن کوپلینگ R | 18 دسی بل دقیقه |
| دمای عملیاتی | -40 ℃ تا 85 |
| تبدیل نسبت می کند | 1: 1 |
|---|---|
| از دست دادن درج | 1.0dB حداکثر @ 1-100MHz |
| OCL | 350uH دقیقه 8mA DC تعصب (سمت خطی) |
| سرعت | 1000Base-T |
| سلام گلدان | 1500Vrms |
| فرکانس | 5-1500 مگاهرتز |
|---|---|
| از دست دادن بازگشت ورودی | حداقل 16.0dB (نوع 23dB) |
| بازده بازده خروجی | 16.0dB حداقل (25dB نوع.) |
| از دست دادن بازگشت جفت | حداقل 16.0dB (نوع 22dB) |
| دمای عملیاتی | -40 ℃ تا 85 |
| فرکانس | 5-3000 مگاهرتز |
|---|---|
| امپدانس مشخصه | 75Ω |
| قدرت RF | 0.25 وات |
| جریان DC | 30 میلی آمپر |
| دمای عملیاتی | -40 ℃ تا 85 |
| فرکانس | 5-1250 مگاهرتز |
|---|---|
| امپدانس مشخصه | 75Ω |
| قدرت RF | 0.5W |
| جریان DC | 30 میلی آمپر |
| نسبت مقاومت | 1: 2 |