6.75KV High Insulation Strength Gate Drive ترانسفورماتور برای IGBT

ترانسفورماتور دروازه برای IGBT ، ترانسفورماتور فرکانس بالا

در درایوهای فرکانس متغیر مدرن (VFD) IGBT در مرحله اینورتر برای تبدیل فرکانس استفاده می شود. مدار درایور دروازه مربوطه نیاز به تامین قدرت لازم برای سوئیچ دارد.در کاربردهای متوسط تا بالا، معمولاً برای این منظور از کنورترهای DC/DC استفاده می شود..

ترانسفورماتورهای دروازه ای برای IGBT عنصر کلیدی در این کنورترها هستند که جداسازی گالوانیکی امن بین مدار میانگین و سمت کنترل ولتاژ پایین را حفظ می کنند.

با استفاده از هسته های تورئیدی ساخته شده از نانوکریستال، امکان انتقال قدرت سوئیچ مورد نیاز در محفظه های بسیار جمع و جور وجود دارد که فضای PCB ارزشمندی را صرفه جویی می کند.مفاهیم پیشرفته عایق بندی و پیچ و تاب بالاترین ولتاژ انقراض کرونا و همچنین ظرفیت های اتصال پایین را تضمین می کند.

یک نمونه کار بزرگ برای ولتاژ های کاری معمولی بین 500 و 1200 ولت در دسترس است. این ترانسفورماتورها دارای نسبت انتقال مختلف و مناطق ولتاژ-زمان برای کاربردهای پرطلب هستند.

ویژگی ها:

·قدرت اتصال کم

·قوه عایق بندی بالا (عایق بندی تقویت شده)

· ولتاژ انقراض کرونا بسیار بالا

·طراحی های فشرده در محفظه های THT و SMT

· محدوده دمای کار: -40°C تا +105°C

· محدوده دمای ذخیره سازی: -40°C تا +105°C

درباره ما:

شرکت شینوم در شیان چین با نزدیک به 20 سال تجربه در طراحی و تولید قطعات ترانسفورماتورها و کویل ها تاسیس شد.
کیفیت بالا، قیمت پایین و بهترین خدمات چیزی است که ما بیشتر دنبال می کنیم!
در همین حال، گواهینامه ISO 9001 توسط سیستم SGS نیز به دست آمد.
شينوم همچنان متخصص در طراحي و توليد ترانسفورماتورهاى با کارايي بالا، محرک هاي قدرت، کپسول هاي خفه کننده و منابع برق براي مشتريان در سراسر جهان خواهد بود.